|
Λεπτομέρειες:
|
| Εφαρμογή:: | Αποστασιόμετρο λέιζερ, ομοεστιακό μικροσκόπιο | Τόπος καταγωγής: | Xi'an Shaanxi Κίνα |
|---|---|---|---|
| Εμπορικό σήμα:: | XINLAND | Τύπος:: | Δίοδος λέιζερ |
| Τύπος συσκευασίας:: | Η επιφάνεια τοποθετεί | Το μέγιστο διαβιβάζει την τάση: | - |
| Μέγιστη αντίστροφη τάση: -: | - | Μέγιστο μπροστινό ρεύμα:: | - |
| Επισημαίνω: | Δίοδος λέιζερ αποστασιομέτρων 850nm,Δίοδος λέιζερ μικροσκοπίων 850nm,850nm δίοδος λέιζερ μικροϋπολογιστών |
||
XL-LD8505 μίνι αποστασιόμετρο λέιζερ διόδων λέιζερ, ομοεστιακό μικροσκόπιο
●Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Χαμηλό λειτουργούν ρεύμα
- Υψηλή αποδοτικότητα
- Υψηλή αξιοπιστία
- Συσκευασία υψηλής ακρίβειας
- Παραγωγή υπέρυθρου φωτός: λp =850nm
- Τύπος συσκευασίας: -18 (Ø5.6mm)
- Ενσωματωμένη δίοδος φωτογραφιών για τον έλεγχο της διόδου λέιζερ
●Απόλυτη μέγιστη εκτίμηση στο TC =25℃
| Στοιχεία | Σύμβολο | Εκτίμηση | Μονάδα |
| Οπτική δύναμη παραγωγής | PO | 7 | MW |
| Αντίστροφη τάση LD | VLDR | 2 | Β |
| PD αντίστροφη τάση | VPDR | 30 | Β |
| PD διαβιβάζει το ρεύμα | IPDF | 10 | μΑ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | ΚΟΡΥΦΗ | -10 ~ +60 | ℃ |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
●Ηλεκτρικά και οπτικά χαρακτηριστικά στο TC =25℃
| Στοιχεία | Σύμβολο | Λ. | Τύπος. | Max | Μονάδα | Όρος |
| Μήκος κύματος Lasing | λp | 845 | 850 | 855 | NM | PO =5mW |
| Ρεύμα κατώτατων ορίων | Ith | - | 10 | 20 | μΑ | - |
| Λειτουργούν ρεύμα | ΟΛΠ (ολοκληρωμένο λειτουργικό πρόγραμμα) | - | 20 | 30 | μΑ | PO =5mW |
| Αποδοτικότητα κλίσεων | η | - | 0,7 | 0,9 | mW/mA | PO =2-5mW |
| Ρεύμα οργάνων ελέγχου | Im | 0,2 | 0,4 | 0,5 | μΑ | PO =5MW, VPDR =5V |
| Λειτουργούσα τάση | Vop | - | 2.2 | 2.5 | Β | PO =5mW |
| Παράλληλη γωνία απόκλισης | θ ‖ | 7 | 9 | 12 | βαθμός | |
| Κάθετη γωνία απόκλισης | θ⊥ | 25 | 32 | 40 | βαθμός | |
 Παράλληλη γωνία απόκλισης FFP |
△θ ‖ | - | - | ±2 | βαθμός | |
| Κάθετη γωνία απόκλισης FFP | △θ⊥ | - | - | ±3 | βαθμός | |
| Ακρίβεια σημείου εκπομπής | △Χ, △Y, △Z | - | - | ±60 | µm |
Υπολοχαγός-LD8505 τεχνικά στοιχεία διόδων λέιζερ
●Εσωτερικές διαστάσεις Ciruit & περιλήψεων (μονάδα: χιλ.)
| Αριθ. | Συστατικό | Υλικό | Τελειώστε |
| ① | Τσιπ διόδων λέιζερ | AlGaInP/GaAlAs | - |
| ② | Μίσχος | Φε | Au που καλύπτεται |
| ③ | ΚΑΠ | Κράμα 45 | Ni+Pd καλυμμένος |
| ④ | Γυαλί παραθύρων | Γυαλί Borosilicate | Τύπος. n=1.516 (λp = 830nm) |
| ⑤ | Καρφίτσες μολύβδου | Kovar | Au που καλύπτεται |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις (Tc=25℃ (σημείωση 1))
| Παράμετρος | Σύμβολο | Αξία | Μονάδα |
| Οπτική παραγωγή δύναμης (CW) (σημείωση 2) | Po | 700 | MW |
| Οπτική παραγωγή δύναμης (σφυγμός) (σημείωση 3) | PP | 2.000 | MW |
| Αντίστροφη τάση | Vrl | 2 | Β |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία (θερμοκρασία περίπτωσης) | Κορυφή (γ) | -10 ~ +70 | ℃ |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
| Θερμοκρασία συγκόλλησης (σημείωση 4) | Tsld | 350 | ℃ |
(Σημείωση 1) TC: Θερμοκρασία περίπτωσης
(Σημείωση 2) CW: Λειτουργία συνεχών κυμάτων
(Σημείωση 3) σφυγμός: Λειτουργία σφυγμού (πλάτος σφυγμού: 1μs δασμός: 10%)
(Σημείωση 4) η θερμοκρασία συγκόλλησης σημαίνει τη θερμοκρασία ακρών σιδήρου συγκόλλησης (η δύναμη 20W) συγκολλώντας.
Η θέση συγκόλλησης είναι 1.6mm εκτός από την κατώτατη άκρη της περίπτωσης. (Χρόνος βύθισης: ≦3s)
| Παράμετρος | Σύμβολο | Όροι | Ελάχιστος. | Τύπος. | Μέγιστο. | Μονάδα |
| Ρεύμα κατώτατων ορίων | Ith | - | - | 250 | T.B.D. | μΑ |
| Λειτουργούν ρεύμα | ΟΛΠ (ολοκληρωμένο λειτουργικό πρόγραμμα) |
Po=700mW |
- | 870 | T.B.D. | μΑ |
| Λειτουργούσα τάση | Vop | - | 2 | T.B.D. | Β | |
| Μήκος κύματος | λp | 840 | 850 | 860 | NM | |
| 1/e2 γωνία έντασης (παράλληλη) (σημείωση 2,3,4) | θ∥ (1/e2) | T.B.D. | 13.5 | T.B.D. | ° | |
| 1/e2 γωνία έντασης (κάθετη) (σημείωση 2,3) | θ⊥ (1/e2) | T.B.D. | 40 | T.B.D. | ° | |
| Γωνία μη ευθυγράμμισης (παράλληλη) (σημείωση 3) | Δθ∥ (1/e2) | -5 | - | 5 | ° | |
| Γωνία μη ευθυγράμμισης (κάθετη) (σημείωση 3) | Δθ⊥ (1/e2) | -5 | - | 5 | ° | |
| Διαφορική αποδοτικότητα | ηd | 600mW Ι (700mW) - Ι (100mW) | 0,7 | 1.0 | 1.3 | mW/mA |
| Συστροφή (σημείωση 5) | Κ-λι | P1=140mW, P2=420mW P3=700mW | -10 | - | 10 |
|
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mrs. Nica Chow
Τηλ.:: +86-13991354371
Φαξ: 86-29-81323155
